松下电器试制出降低导通电阻的GaN二极管
12月19日讯
松下电器试制出使用GaN半导体、耐压为9.4kV，导通电阻降低至52mΩcm2的二极管。而此前产品的导通电阻为1000mΩcm2。设想用于工作电压从数百伏消费类电器和数kV产业电气设备等广泛领域。 新产品之所以同时实现了高耐压和低导通电阻，是因为采用了名为“Natural Super Junction”的新半导体连接技术。通过连接多个成分不同的GaN半导体，收到了与硅MOSFET上使用的“超级结构造”相同的效果。而以往GaN半导体的p型层和n型层的杂质浓度以及膜厚的控制需要较高的精度，因此难以使用超级结构造。 该二极管采用新结构，仅通过控制电极间隔便成功地提高了耐压。为降低导通电阻，增加了作为沟道的二维电子气体层数。并且利用凹陷结构使沟道暴露，在暴露的区域形成电极，使全部沟道层获得良好的电气连接性能。由此而实现了耐压9.4kV，导通电阻52mΩcm2。 另外，该技术实现的详细内容预定于08年12月15日～17日在美国举办的“IEDM2008”上公布。